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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.3
15.1
写入速度,GB/s
8.9
9.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2502
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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