RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
89
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
89
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1571
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link