RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
89
Por volta de 66% menor latência
Razões a considerar
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
89
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1571
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link