RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2382
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link