RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2950
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link