RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2597
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link