RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1775
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link