RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2157
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link