RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2157
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link