RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2596
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864FB3-CF7 1GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link