RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2852
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link