RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
50
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
50
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2326
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link