RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3044
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link