RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
79
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
79
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1710
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link