RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2306
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link