RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3075
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link