RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
48
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2080
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link