RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
52
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2169
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link