RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2323
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link