RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2910
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link