RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
59
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3665
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link