RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
2481
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link