RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
68
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1897
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link