RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
63
95
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
95
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1518
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link