RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
3768
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link