RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2920
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link