RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2991
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link