RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2991
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link