RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
73
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1736
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link