RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
73
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1736
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link