RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3964
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link