RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
50
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3421
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link