RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,952.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,586.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,952.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
704
3648
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link