RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3859
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT12GX3M3A2000C9 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link