RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
96
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2041
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link