RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
96
Wokół strony -336% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2706
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link