RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
96
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1949
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link