RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
96
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2714
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link