RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
96
Wokół strony -256% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2173
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link