RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
96
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3368
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link