RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
60
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
60
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
1505
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link