RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
68
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
2007
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link