RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
68
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
2007
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link