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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
56
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
6.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
2256
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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