RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
2256
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link