RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
56
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
47
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
7.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
2308
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link