A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Pontuação geral
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 52
    Por volta de -79% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.9 left arrow 1,145.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 4200
    Por volta de 4.05 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    52 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,614.5 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,145.9 left arrow 9.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    409 left arrow 2419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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