RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
46
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
45
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2414
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link