RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2414
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link