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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

总分
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

总分
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 10
    测试中的平均数值
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB 需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 46
    左右 -2% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 2,061.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    4,937.3 left arrow 10.0
  • 写入速度，GB/s
    2,061.2 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    759 left arrow 2414

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
内存RAM
Catalyst 256NU8 256MB
Catalyst 256NU8 256MB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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