RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Comparar
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB vs Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Pontuação geral
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
73
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6.4
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
3.4
3.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
73
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
6.1
Velocidade de escrita, GB/s
3.4
3.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
779
1004
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB Comparações de RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link