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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3448
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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